主要產(chǎn)品 　　石英晶片（Crystal Wafer, Crystal Blank） 　　廣泛用途石英振蕩子（Crystal） 　　小型化表面黏著石英振蕩子（SMD Crystal） 　　一般及精密石英振蕩器（XO） 　　小型化表面黏著石英振蕩器（SMD XO） 　　壓控石英振蕩器（VCXO） 　　壓控溫度補(bǔ)償石英振蕩器（VC/TCXO） 　　恒溫控制石英振蕩器（OCXO） 基本參數(shù)描述 ? 　　頻率準(zhǔn)確度：在標(biāo)稱電源電壓、標(biāo)稱負(fù)載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變，晶體振蕩器的頻率相對(duì)與其規(guī)定標(biāo)稱值的允許偏差，即（fmax-fmin）/f0; 　　溫度穩(wěn)定度：其他條件保持不變，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax fmin）； 　　頻率調(diào)節(jié)范圍：通過調(diào)節(jié)晶振的某可變?cè)淖冚敵鲱l率的范圍。 　　調(diào)頻（壓控）特性：包括調(diào)頻頻偏、調(diào)頻靈敏度、調(diào)頻線性度。 　?、僬{(diào)頻頻偏：壓控晶體振蕩器控制電壓由標(biāo)稱的變化到小值時(shí)輸出頻率差。 　　②調(diào)頻靈敏度：壓控晶體振蕩器變化單位外加控制電壓所引起的輸出頻率的變化量。 　?、壅{(diào)頻線性度：是一種與理想直線（小二乘法）相比較的調(diào)制系統(tǒng)傳輸特性的量度。 　　負(fù)載特性：其他條件保持不變，負(fù)載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱負(fù)載下的輸出頻率的允許頻偏。 　　電壓特性：其他條件保持不變，電源電壓在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對(duì)于標(biāo)稱電源電壓下的輸出頻率的允許頻偏。 　　雜波：輸出信號(hào)中與主頻無諧波（副諧波除外）關(guān)系的離散頻譜分量與主頻的功率比，用dBc表示。 　　諧波：諧波分量功率Pi與載波功率P0之比，用dBc表示。 　　頻率老化：在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件（主要是石英諧振器）老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的系統(tǒng)漂移過程。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的頻差來量度。對(duì)于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長的工作時(shí)間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率（單位時(shí)間內(nèi)的相對(duì)頻率變化）來量度。 　　日波動(dòng)：指振蕩器經(jīng)過規(guī)定的預(yù)熱時(shí)間后，每隔一小時(shí)測(cè)量一次，連續(xù)測(cè)量24小時(shí)，將測(cè)試數(shù)據(jù)按S=（fmax-fmin）/f0式計(jì)算，得到日波動(dòng)。 　　開機(jī)特性：在規(guī)定的預(yù)熱時(shí)間內(nèi)，振蕩器頻率值的變化，用V=（fmax-fmin）/f0表示。 　　相位噪聲：短期穩(wěn)定度的頻域量度。用單邊帶噪聲與載波噪聲之比￡（f）表示，￡（f）與噪聲起伏的頻譜密度Sφ（f）和頻率起伏的頻譜密度Sy（f）直接相關(guān)，由下式表示： 　　f2S（f）=f02Sy（f）=2f2￡（f） 　　f-傅立葉頻率或偏離載波頻率；f0-載波頻率。 泰藝電子成立于民國89年3月，前身為泰電電業(yè)股份有限公司電子部(民國65年設(shè)立)，是一家石英頻率控制組件制造商。主要產(chǎn)品包括「石英振蕩子」、「石英振蕩器」、「壓控石英振蕩器」、「溫度補(bǔ)償石英振蕩器」，并且是臺(tái)灣擁有生產(chǎn)「恒溫控制石英振蕩器」技術(shù)的制造商，完整的產(chǎn)品線提供一次性購足的服務(wù)。