精密TDK貼片電容的允許誤差較小，而電解貼片電容的誤差較大，它們采用不

同的誤差等級。

　　額定工作電壓：TDK貼片電容在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的大直

流電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。

　　溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫

度系數(shù)越小越好。

 　 頻率特性：TDK貼片電容的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作

的TDK貼片電容，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨

頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，貼片電容的分布參數(shù)，如極片電阻、

引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響貼片電容的性能。

所有這些，使得貼片電容的使用頻率受到限制。

　　損耗：在電場的作用下，貼片電容在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損

耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。

    TDK貼片電容容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的大偏差范圍。一般

分為3級：i級±5%，ii級±10%，iii級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為

±20%。

　　不同品種的貼片電容，高使用頻率不同。小型云母貼片電容在250mhz以內(nèi)；

圓片型瓷介貼片電容為300mhz；圓管型瓷介貼片電容為200mhz；圓盤型瓷介可

達(dá)3000mhz；小型紙介貼片電容為80mhz；中型紙介貼片電容只有8mhz。

深圳市智成電子

TDK代理商銷售

村田murata經(jīng)銷商

原裝2018新貨供應(yīng)

大量庫存現(xiàn)貨MLCC

供應(yīng)全系列貼片電容

供應(yīng)全系列安規(guī)電容

供應(yīng)全系列貼片電感

供應(yīng)全系列蜂鳴器

供應(yīng)全系列濾波器

誠信經(jīng)營 品質(zhì)保障

價格優(yōu)美 庫存優(yōu)勢

原裝 量大從優(yōu)

長期合作 可做月結(jié)

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TDK株式會社開發(fā)出了將高電容與低ESR結(jié)合在一起的新系列垂直積層帶金屬端

子的MEGACAP型積層陶瓷貼片電容器。新CA系列提供了從25 V到1000 V的額定

電壓并涵蓋了從20 nF到150 μF的電容范圍。該新款積層陶瓷貼片電容器還具

有C0G、X7T、X7S和X7R溫度特性。由于新電容器具有高電容值，因此適用于無

線和插拔式充電系統(tǒng)的諧振電路，例如用于工業(yè)車輛和機(jī)器人。它們也可以用

于工業(yè)設(shè)備的濾波和去耦合應(yīng)用。該CA系列將從2018年4月開始生產(chǎn)。汽車級產(chǎn)

品將在2018年中后期推出。

帶金屬端子的MEGACAP型積層陶瓷貼片電容器特有的

金屬引線架可連接到元件的電極末端，防止熱沖擊造成的板翹曲裂紋和焊接裂紋。

端子的金屬材料也進(jìn)行了優(yōu)化，以便降低ESR并實(shí)現(xiàn)更高的紋波電流能力。為了在

提高的電容條件下實(shí)現(xiàn)低剖面，TDK采用了其帶金屬端子的MEGACAP積層設(shè)計(jì)，從

而使積層陶瓷貼片電容器元件可并排堆放。垂直積層設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了使用三個甚至更多

元件的疊層。金屬端子與積層陶瓷貼片電容器之間的混合接頭采用點(diǎn)焊和夾具，以

防止單個積層陶瓷貼片電容器元件在越來越高的回流溫度下從引線架上墜落。CA系

列將推出2x疊層和3x疊層。今后，該產(chǎn)品陣容將擴(kuò)展到5x疊層。TDK為種類繁

多的應(yīng)用產(chǎn)品提供廣泛的MLCC產(chǎn)品組合。TDK也將繼續(xù)特別關(guān)注在技術(shù)上擁有優(yōu)勢

的汽車等級MLCC的開發(fā)。

主要應(yīng)用

無線和插拔式充電系統(tǒng)的諧振電路

工業(yè)設(shè)備的濾

波和去耦合應(yīng)用

主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

通過積層設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高電容

通過優(yōu)化的端子材料實(shí)

現(xiàn)低ESR

主要數(shù)據(jù)

類型 溫度特點(diǎn) 額定電壓

[V] 電容

[F] 積層元件 尺

寸

[mm]

CAA572C0G3A203J* C0G 1000 20n 2

2x stack:6.1 x 5.6 x 6.4

3x stack:6.1 x 8.4 x 6.4

CAA572C0G3A303J*

30n 2

CAA572C0G3A443J* 44n 2

CAA572C0G3A663J*

66n 2

CAA573C0G3A993J* 99n 3

CAA572C0G2J204J*

630 200n 2

CAA573C0G2J304J* 300n 3

CAA572X7T2J105M**

X7T 630 1μ 2 2x stack:6.1 x 5.0 x 6.4

3x stack:6.1 x 7.5 x 6.4

CAA573X7T2J155M**

1.5μ 3

CAA572X7T2W225M** 450 2.2μ 2

CAA573X7T2W335M**

3.3μ 3

CAA572X7S2A336M** X7S 100 33μ 2

CAA573X7S2A476M**

47μ 3

CAA572X7R1V107M**

X7R 35 100μ 2 2x stack:6.4 x 5.0 x 6.8

3x stack:6.4 x 7.5 x 6.8

CAA573X7R1V157M**

150μ 3

CAA572X7R1E107M** 25 100μ 2

CAA573X7R1E157M** 150μ 3