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擴散爐是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。
擴散爐有垂直擴散爐（vertical）和水平擴散爐（horizontal）兩種類型。
垂直擴散爐是石英舟垂直于水平面，更加有利于機械手傳送硅片，片內工藝參數一致性更好。
水平擴散爐是石英舟平行于水平面，一臺可以4個或4個以上的工藝爐管，平均爐管占地面積更小，片間的工藝參數較垂直擴散爐更好
擴散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業(yè)的擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝。
擴散工藝的主要用途是在高溫條件下對半導體晶圓進行摻雜，即將元素磷、硼擴散入硅片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。
新的低壓磷擴散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產批量，同時對環(huán)境的影響小。
氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應，生長一層二氧化硅膜。
氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。
