技術(shù)指標(biāo) 咪頭的測試條件;MIC的使用應(yīng)規(guī)定其工作電壓和負(fù)載電阻,不同的使用條件,其靈敏度的大小有很大的影響 電壓 電阻 1、消耗電流：即咪頭的工作電流 主要是FET在VSG=0時(shí)的電流，根據(jù)FET的分檔，可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下，對于工作電流就有嚴(yán)格的要求，由電原理圖可知 VS=VSD ID×RL ID = (VS- VSD)/ RL 式中 ID FET 在VSG等于零時(shí)的電流 RL為負(fù)載電阻 VSD,即FET的S與D之間的電壓降 VS為標(biāo)準(zhǔn)工作電壓 總的要求 100μA〈IDS〈500μA 2、靈敏度：單位聲壓強(qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力。 單位：V/Pa 或 dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBar -40 dBV/Pa=-60dBV/μBar 0 dBV/Pa=1V/Pa 聲壓強(qiáng)Pa=1N/m2 3、輸出阻抗：基本相當(dāng)于負(fù)載電阻RL(1-70%)之間。 4、方向性及頻響特性曲線： a、全向: MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等，全向MIC的結(jié)構(gòu)是PCB上全部密封,因此,聲壓只有從MIC的音孔進(jìn)入，因此是屬于壓強(qiáng)型傳聲器。 頻率特性圖： b、單向 單向MIC 具有方向性，如果MIC的音孔正對聲源時(shí)為0度，那么在0度時(shí)靈敏度較高，180度時(shí)靈敏度較低，在全方位上呈心型圖，單向MIC的結(jié)構(gòu)與全向MIC不同，它是在PCB上開有一些孔，聲音可以從音孔和PCB的開孔進(jìn)入，而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料，因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的MIC。 頻率特性圖： c、消噪型：是屬于壓差式MIC，它與單向MIC不同之處在于內(nèi)部沒有吸音材料，它的方向型圖是一個(gè)8字型 頻率特性： 5、頻率范圍： 全向： 50~12000Hz 20~16000Hz 單向：100~12000Hz 100~16000Hz 消噪：100~10000Hz 6、較大聲壓級:是指MIC的失真在3%時(shí)的聲壓級,聲壓級定義:20μpa=0dBSPL MaxSPL為115dBSPLA SPL聲壓級 A為A計(jì)權(quán) 7、S/N信噪比：即MIC的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之比，詳見產(chǎn)品手冊，噪聲主要是FET本身的噪聲