抗紫外線地坪施工方案 　 　 適用范圍： 　 　 要求防靜電的微電子廠、通訊設(shè)備廠、計(jì)算機(jī)機(jī)房、精密儀器廠、電子元器件、LED、SMT、生物 工程、半導(dǎo)體車間或無塵凈化室等需要防靜電的場(chǎng)所。 　 　 　 　 　 　 制作抗耐紫外線地坪工程對(duì)混凝土基礎(chǔ)的要求： 　 　 為環(huán)氧地面系統(tǒng)的各項(xiàng)性能及使用的耐久性，基層混凝土結(jié)構(gòu)應(yīng)滿足下列要求，否則可能引起系統(tǒng)的破壞或者降低其使用耐久性： 　 　 1、基層混凝土的抗壓強(qiáng)度不低于C25。 　 　 2、基層混凝土的抗拉強(qiáng)度不低于1.5Mpa。 　 　 3、基層混凝土的表面平整度應(yīng)符合要求，一般為用2米靠尺檢查，其平整度 應(yīng)在3mm以內(nèi)。 　 　 4、基層混凝土之上不應(yīng)有薄弱層面，如低強(qiáng)度水泥砂漿找平層。 　 　 5、基層表面應(yīng)干凈、密實(shí)，沒有被化學(xué)物質(zhì)污染。 　 　 6、環(huán)氧施工時(shí)基層潮濕度應(yīng)小于6%，否則應(yīng)施工2mm厚的防潮隔離層。 　 　 7、首層室內(nèi)坪現(xiàn)澆混凝土基礎(chǔ)應(yīng)設(shè)置底層隔水層。 　 　 8、混凝土表層進(jìn)行有效的預(yù)防措施，杜絕龜裂縫的產(chǎn)生。 　 　 　 　 　 　 　 　 　 抗耐紫外線地坪施工工序： 　 　 1、基礎(chǔ)處理： 　 　 使用大型打磨機(jī)無塵打磨混凝土基礎(chǔ)至粗糙，并尋找突兀處，進(jìn)行局部深度打磨處理。清除混凝土基層薄弱層面。 　 　 2、局部找平處理： 　 　 使用靠尺查找局部低洼處，并標(biāo)識(shí)出洼處大于3㎜的區(qū)域，采用環(huán)氧砂漿進(jìn)行局部填充；對(duì)于大面積坑洼凹凸區(qū)域，鏝布環(huán)氧砂漿整體找平。 　 　 3、底涂層： 　 　 整體打磨基層突兀處，吸塵處理后，整體刮布環(huán)氧樹脂底涂層。 　 　 4、環(huán)氧砂漿找平層： 　 　 使用靠尺整體刮布環(huán)氧砂漿層找平層與底涂層上，形成順滑層面；。 　 　 5、基面處理： 　 　 使用大型打磨機(jī)無塵打磨環(huán)氧砂漿找平層，消除局部突兀處，并形成粗糙層面，利于層間的粘合。 　 　 6、環(huán)氧細(xì)砂層（環(huán)氧次面層）： 　 　 于環(huán)氧砂漿找平層上整體鏝布環(huán)氧著色細(xì)砂漿層，填補(bǔ)局部坑洼處，形成抗壓、粗糙層面，并利于層間黏合力的提高。 　 　 7、環(huán)氧面涂層： 　 　 整體鏝布環(huán)氧樹脂功能層面（耐紫外線的損傷、耐黃化、耐磨損、亞光）。 　 　 8、環(huán)氧面涂層施工完成，必須進(jìn)行合理的養(yǎng)護(hù)（養(yǎng)護(hù)期為3個(gè)日歷天）