名片曝光使用說明

步驟1:創(chuàng)建名片

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步驟2:投放名片

創(chuàng)建名片成功后,將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開啟名片曝光服務,服務費用為:1虎幣/天。(虎幣充值比率:1虎幣=1.00人民幣)

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醫(yī)用藥廠用水設(shè)備,包括制藥水設(shè)備,輸液水設(shè)備、針劑水設(shè)備、藥劑水設(shè)備、生物制品用水,醫(yī)用無菌水水設(shè)備,適用各類醫(yī)藥企業(yè)制劑用水 、配藥用水 、大輸液用水及針劑用水設(shè)備;醫(yī)藥用水有著極為嚴格的遠見定,人體對藥品中內(nèi)毒素極為敏感。通常,醫(yī)用水多用蒸餾法。該設(shè)備采用世界上先進的美國反滲透元件,壓力容器等設(shè)備,配以又合理的預處理和后級精脫鹽設(shè)備,水設(shè)備的出的水質(zhì)完全符合GMP標準。系統(tǒng)設(shè)置手動,自動。可實現(xiàn)原水泵,高壓泵,水泵自動控制,自動開停機,自動沖冼,無水開機,高低壓保護,熱保護及液位控制等功能。采用反滲透加混床或者是反滲透加EDI,EDI水設(shè)備介紹如 EDI 水設(shè)備系統(tǒng) EDI水設(shè)備系統(tǒng)是將電滲析技術(shù)和離子交換技術(shù)有機結(jié)合形成的一種新型除鹽技術(shù)。可以有效的去除水中全部離子,出水電阻率可穩(wěn)定在15MΩ.CM以上,連續(xù)運行、無化學污染、水的利用率高,在水制備工藝上有著廣闊的應用前景。   EDI 水設(shè)備裝置是應用在反滲透系統(tǒng)之后,取代傳統(tǒng)的混合離子交換技術(shù)(MB-DI)生產(chǎn)穩(wěn)定的去離子水。EDI水設(shè)備技術(shù)與混合離子交換技術(shù)相比有如下優(yōu)點:  ?、貳DI 水設(shè)備出水水質(zhì)穩(wěn)定   ②EDI 水設(shè)備容易實現(xiàn)全自動控制  ?、跡DI 水設(shè)備不會因再生而停機   ④EDI 水設(shè)備不需化學再生  ?、軪DI 水設(shè)備運行費用低  ?、轊DI 水設(shè)備廠房面積小  ?、逧DI 水設(shè)備無污水排放。 水設(shè)備技術(shù)的發(fā)展史:   階段:預處理—— > 陽床 ——> 陰床 ——> 混合床   第二階段:預處理—— > 反滲透 ——> 混合床   第三階段:預處理—— > 反滲透 ——>EDI 裝置   水設(shè)備采用反滲透( RO )技術(shù)是一種利用膜分離去除水中離子的方法,盡管反滲透系統(tǒng)將水中 95%-98% 的離子去除,但還不能滿足工業(yè)生產(chǎn)的要求,其后續(xù)工藝必須使用離子交換設(shè)備。近幾十年以來,混合床離子交換技術(shù)一直作為水制備的標準工藝,是現(xiàn)在水設(shè)備常用的標準工藝。由于其凈水設(shè)備需要周期性的再生且再生過程中使用大量的化學藥品(酸堿)和水,因此已很難滿足于無酸堿水系統(tǒng)。   正因為傳統(tǒng)的水設(shè)備標準工藝離子交換已經(jīng)越來越無法滿足現(xiàn)代工業(yè)和環(huán)保的需要,于是將膜和樹脂結(jié)合的水設(shè)備EDI 技術(shù)成為水處理技術(shù)的一場革命。該EDI水設(shè)備系統(tǒng)技術(shù)應用電再生離子交換除鹽工藝取代傳統(tǒng)混合離子交換除鹽工藝EDI 。通過離子交換樹脂及選擇性離子膜達到高脫鹽效果,與反滲透結(jié)合的聯(lián)合工藝使產(chǎn)水水質(zhì)可達 10~17M Ω· CM 的高規(guī)格產(chǎn)水。 EDI 水設(shè)備系統(tǒng)工作原理:   1.水進入EDI水設(shè)備系統(tǒng),主要部分流入樹脂/膜內(nèi)部,而另一部分沿模板外側(cè)流動,以洗去透出膜外的離子。   2.EDI水設(shè)備中的樹脂截留水中的溶存離子。   3.EDI水設(shè)備中被截留的離子在電極作用下,陰離子向正極方向運動,陽離子向負極方向運動。   4.EDI水設(shè)備中陽離子透過陽離子膜,排出樹脂/膜之外。   5.EDI水設(shè)備中陰離子透過陰離子膜,排出樹脂/膜之外。   6.EDI水設(shè)備中濃縮了的離子從廢水流路中排出。   7.EDI水設(shè)備中無離子水從樹脂/膜內(nèi)流出。 EDI水設(shè)備系統(tǒng)進水水質(zhì)要求: TEA( 含 CO 2 ) <25mg/LasCaCO 3 PH 5 - 9 硬度 < 0.1 mg/LasCaCO 3 硅 <0.5mg/L T OC <0.5 mg/L 余氯 <0.05mg/L
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