深圳眾誠(chéng)達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售磁控濺射用的靶材，應(yīng)用于磁控濺射技術(shù)領(lǐng)域，在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 深圳眾誠(chéng)達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售的靶材應(yīng)用于微電子領(lǐng)域。在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的硅晶片已制造出來(lái)．而互連線的寬度卻在減小。硅 片制造商對(duì)靶材的要求是大尺寸、度、低偏析和細(xì)晶粒， 這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性 已被認(rèn)為是影響薄膜沉 積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的度與靶材的度關(guān)系極大，過(guò)去99.995 %（4 N5） 度的銅靶，或許能夠滿 足半導(dǎo)體廠商0.3 5pm 工藝的需求，但是卻無(wú)法滿足如今0.2 5um的工藝要求， 而未米的 0.18um }藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材度將要求達(dá) 到5甚至 6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更 低的電阻率，能夠滿足！導(dǎo)體工藝在0 .25um 以下 的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問(wèn)題：銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低．并且容易發(fā)生反應(yīng)，導(dǎo) 致在使用過(guò)程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問(wèn)題，需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋 層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50n m，與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻 擋層用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等．但是T a 、W 都是難熔金屬．制作相對(duì)困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代材料。