深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售磁控濺射用的靶材。低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)象。在置有板狀電極的玻璃管內(nèi)充入低壓（約幾毫米汞柱）氣體或蒸氣，當(dāng)兩極間電壓較高（約1000伏）時，稀薄氣體中的殘余正離子在電場中加速，有足夠的動能轟擊陰極，產(chǎn)生二次電子，經(jīng)簇射過程產(chǎn)生更多的帶電粒子，使氣體導(dǎo)電。輝光放電的特征是電流強(qiáng)度較?。s幾毫安），溫度不高，故電管內(nèi)有特殊的亮區(qū)和暗區(qū)，呈現(xiàn)瑰麗的發(fā)光現(xiàn)象。輝光放電時，在放電管兩極電場的作用下，電子和正離子分別向陽極、陰極運(yùn)動，并堆積在兩極附近形成空間電荷區(qū)。因正離子的漂移速度遠(yuǎn)小于電子，故正離子空間電荷區(qū)的電荷密度比電子空間電荷區(qū)大得多，使得整個極間電壓幾乎全部集中在陰極附近的狹窄區(qū)域內(nèi)。這是輝光放電的特征，而且在正常輝光放電時，兩極間電壓不隨電流變化。在陰極附近，二次電子發(fā)射產(chǎn)生的電子在較短距離內(nèi)尚未得到足夠的能使氣體分子電離或激發(fā)的動能，所以緊接陰極的區(qū)域不發(fā)光。而在陰極輝區(qū)，電子已獲得足夠的能量碰撞氣體分子，使之電離或激發(fā)發(fā)光。其余暗區(qū)和輝區(qū)的形成也主要取決于電子到達(dá)該區(qū)的動能以及氣體的壓強(qiáng)（電子與氣體分子的非彈性碰撞會失去動能）。輝光放電的主要應(yīng)用是利用其發(fā)光效應(yīng)（如霓虹燈、日光燈）以及正常輝光放電的穩(wěn)壓效應(yīng)（如氖穩(wěn)壓管）。深圳眾誠達(dá)應(yīng)用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售的靶材應(yīng)用于存儲領(lǐng)域?；阪N銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，不過,在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來說都是很重要的特征。江西科泰新材料有限公司經(jīng)研發(fā)的GeSbTe平面靶材，較大直徑能做到355毫米。