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藍(lán)寶石為六方晶格結(jié)構(gòu)，很多特性便是由其晶向決定的。通過外延晶膜生長，不同的晶向?qū)⒊尸F(xiàn)不同的晶格與目標(biāo)材料匹配。藍(lán)寶石有一定的雙折射特性，特殊的結(jié)晶軸被用于一些光學(xué)領(lǐng)域，比如極化基底：
C型切面的藍(lán)寶石基底被用于生長III-V 與II-VI族沉積薄膜，比如氮化鎵，可以產(chǎn)出藍(lán)色的LED產(chǎn)品、激光二極管以及紅外線探測儀的應(yīng)用。
A型基底產(chǎn)生統(tǒng)一的電容率/介質(zhì)，并且高度絕緣被應(yīng)用于混合微電子技術(shù)中。高溫的超導(dǎo)體可由A型基底長晶產(chǎn)生。
R型基底生長的不同沉積的硅料外延長晶，被應(yīng)用于微電子集成電路。藍(lán)寶石由于其高電容率的特性，是混合基底的選擇，例如在微波集成電路中的應(yīng)用。此外，在對外延硅生長制膜的過程中，還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導(dǎo)組件、高阻電阻器、砷化鎵時亦可應(yīng)用R型基底生長。
M、A、R型均可生長非極性或半極性的氮化鎵。藍(lán)寶石作為商業(yè)產(chǎn)品仍然需要大量的研究提高氮化鎵磊晶的材料品質(zhì)。
