名片曝光使用說明

步驟1：創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼，進(jìn)入虎易名片小程序，使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2：投放名片

創(chuàng)建名片成功后，將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開啟名片曝光服務(wù)，服務(wù)費(fèi)用為：1虎幣/天。(虎幣充值比率：1虎幣=1.00人民幣)

關(guān)于曝光服務(wù)

名片曝光只限于使用免費(fèi)模板的企業(yè)產(chǎn)品詳細(xì)頁下，因此當(dāng)企業(yè)使用收費(fèi)模板時(shí)，曝光服務(wù)將自動失效，并停止扣除服務(wù)費(fèi)。

<

返回首頁

產(chǎn)品分類 更多>>

品牌
INF
型號
IPD80N04S3-06
種類
絕緣柵(MOSFET)
溝道類型
N溝道
導(dǎo)電方式
增強(qiáng)型
用途
AM/調(diào)幅
封裝外形
CER-DIP/陶瓷直插
材料
GE-N-FET鍺N溝道
跨境貨源
否
貨號
80N04
產(chǎn)品信息：
IPD80N04S3-06PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 描述：OptiMOS-T Power-Transistor
  • 數(shù)據(jù)列表：IPD80N04S3-06
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)：40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25
產(chǎn)品推薦
“IPD80N04S3-06 N溝道場效應(yīng)管 40V 90A 貼片TO252 QN0406 原裝正”信息由發(fā)布人自行提供，其真實(shí)性、合法性由發(fā)布人負(fù)責(zé)。交易匯款需謹(jǐn)慎，請注意調(diào)查核實(shí)。