晶體管MOSFET FDS4488 描述
這n聲道MOSFET是采用飛兆半導(dǎo)體生產(chǎn)安森美半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程特別是針對已較大限度地減少通態(tài)性,但保持出色的開關(guān)性能。
這些裝置非常適用于低電壓和電池供電應(yīng)用的低IN-線的功率損耗和快速開關(guān)是必需的。
晶體管MOSFET FDS4488 特點(diǎn)
?7.9 A, 30 V RDS ( ON)= 22毫歐@ VGS= 10 V
RDS ( ON)= 30毫歐@ VGS= 4.5 V
?低柵極電荷( 9.5 NC典型值)
?高性能溝道技術(shù)極低RDS ( ON)
?高功率和電流處理能力
晶體管MOSFET FDS4488 應(yīng)用
?DC / DC轉(zhuǎn)換器
?負(fù)荷開關(guān)
?電機(jī)驅(qū)動(dòng)