河南日佳加熱輥、輥感應(yīng)加熱設(shè)備公司，是國(guó)內(nèi)同行業(yè)中起步早、起點(diǎn)高、發(fā)展快、開(kāi)發(fā)高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)型企業(yè)。因?yàn)檩伕袘?yīng)加熱有以下優(yōu)點(diǎn)：1) 非接觸式加熱，熱源和受熱物件可以不直接接2) 加熱效率高，速度快，可以減小表面氧化現(xiàn)象 3 容易控制溫度，提高加工精度 4可實(shí)現(xiàn)局部加熱5可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制6可減小占地，熱輻射，噪聲和灰塵7 能量傳輸集中,升溫極快,并可在一個(gè)大型的系統(tǒng)上進(jìn)行局部加熱。 由于輥感應(yīng)加熱具有以上的一些優(yōu)點(diǎn)，大量的工程技術(shù)人員對(duì)此進(jìn)行了研究，1890年瑞典技術(shù)人員發(fā)明了臺(tái)感應(yīng)熔煉爐――開(kāi)槽式有芯爐，1916年美國(guó)人發(fā)明了閉槽有芯爐，從此感應(yīng)加熱技術(shù)逐漸進(jìn)入實(shí)用化階段。而后，20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展，極大的促進(jìn)了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。 1957年，美國(guó)研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開(kāi)始。同時(shí)，也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年，瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置，從此感應(yīng)加熱技術(shù)開(kāi)始飛速發(fā)展。 80年代后，電力電子器件再次飛速發(fā)展，GTO，MOSFET，IGBT，MCT，SIT等器件相繼出現(xiàn)。輥感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管，開(kāi)始采用這些新器件?，F(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET，IGBT用于較大功率場(chǎng)合，而MOSFET用于較高頻率場(chǎng)合。據(jù)報(bào)道，國(guó)外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過(guò)1000KW，頻率超過(guò)50K。而MOSFET較合適高頻場(chǎng)合，通常在幾千瓦的中小功率場(chǎng)合，頻率可達(dá)到500K以上，甚至幾M。然而國(guó)外也有推出采用MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置，比如美國(guó)研制的2000KW/400KHz的裝置。