東科同步整流，DK5V45R05M 是一款簡單的兩個管腳的同步整流芯片，無需任何外圍，可以大幅降低傳統(tǒng) 肖特基二極管的導(dǎo)通損耗，提高整機(jī)效率。 1. 啟動 芯片內(nèi)置儲能電容和自供電線路，可以實現(xiàn)芯片和 NMOS 管驅(qū)動需求，無需外接電源。當(dāng) K 極 電壓高于 A 極時，通過自供電線路，給內(nèi)置 VCC 電容充電，VCC 電壓逐漸上升。在 VCC 電壓低于啟 動電壓 VCC_ON 時，內(nèi)置 NMOS 管關(guān)閉，當(dāng) VCC 電壓大于 VCC_ON 時，芯片內(nèi)部控制電路開始工作， 啟動完成。當(dāng) VCC 電壓降低到欠壓保護(hù)閾值 VCC_OFF 以下時，芯片重啟。 2. NMOS 控制 當(dāng)檢測到 A、K 端正向?qū)妷捍笥陂_通電壓 VON 時，則打開 NMOS 管；芯片實時檢測 K 點電 壓變化，依據(jù) K 點電壓變化，判斷系統(tǒng)工作模式。在 CCM 模式時，通過智能算法算出當(dāng)前周期 NMOS 管開通時間 TON，當(dāng) NMOS 管開通時間達(dá)到 TON，關(guān)閉 NMOS 管。在非 CCM 模式時，當(dāng)檢測到流 過功率 MOS 管的電流逐漸減小到 0 時，則關(guān)閉功率 MOS 管。 3. RC 吸收電路 在啟動、輸出短路、輸入電壓過高，CCM 模式等容易在二極管體產(chǎn)生尖峰電壓，為防止內(nèi)置 NMOS 管過壓擊穿，可以在 A 和 K 之間接入 RC 吸收電路，以減小 K 點的尖峰電壓。 4. NMOS 導(dǎo)通內(nèi)阻 由于 NMOS 管的本身存在的特性。在工作過程中，隨著溫度升高，內(nèi)阻值會增大，效率會降低。 可適當(dāng)?shù)脑黾由崦娣e，降低 IC 的工作溫度。 5. 注意事項 ? 應(yīng)用中需要測量同步芯片的耐壓，確保同步整流芯片工作電壓低于同步芯片 NMOS 源 漏耐壓； ? 應(yīng)用中需要測量同步芯片的溫度，評估產(chǎn)品工作環(huán)境溫度下超過工作結(jié)溫。

東科同步整流