名片曝光使用說明

步驟1：創(chuàng)建名片

微信掃描名片二維碼，進(jìn)入虎易名片小程序，使用微信授權(quán)登錄并創(chuàng)建您的名片。

步驟2：投放名片

創(chuàng)建名片成功后，將投放名片至該產(chǎn)品“同類優(yōu)質(zhì)商家”欄目下,即開啟名片曝光服務(wù)，服務(wù)費用為：1虎幣/天。(虎幣充值比率：1虎幣=1.00人民幣)

關(guān)于曝光服務(wù)

名片曝光只限于使用免費模板的企業(yè)產(chǎn)品詳細(xì)頁下，因此當(dāng)企業(yè)使用收費模板時，曝光服務(wù)將自動失效，并停止扣除服務(wù)費。

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產(chǎn)品屬性 屬性值

制造商: Vishay

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOT-23-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 5.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 42 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, 8 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV

Qg-柵極電荷: 10 nC

小工作溫度: - 55 C

工作溫度: 150 C

Pd-功率耗散: 1.8 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: TrenchFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 1.45 mm

長度: 2.9 mm

系列: SI2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 1.6 mm

商標(biāo): Vishay Semiconductors

正向跨導(dǎo) - 小值: 30 S

下降時間: 10 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 10 ns

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 6 ns

零件號別名: SI2336DS-GE3

單位重量: 8 mg


產(chǎn)品推薦
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