MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備:
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGSS / BVR / VDS(Sat) / IDSS / VGSTH / VF / RDS(on));動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);雪崩能力測(cè)試,老化及可靠性測(cè)試(HTRB / HTGB)。
IGBT參數(shù)測(cè)試設(shè)備:
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE);動(dòng)態(tài)參數(shù)(開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū))測(cè)試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);老化及可靠性測(cè)試(HTRB / HTGB)。
二極管及可控硅/晶閘管(SCR)參數(shù)測(cè)試設(shè)備:
靜態(tài)參數(shù)測(cè)試(包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL );動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試(Turn_on&off / Qrr_FRD);浪涌參數(shù)測(cè)試ITSM;di/dt測(cè)試;老化及可靠性測(cè)試(高溫阻斷);熱阻參數(shù)測(cè)試Rth。
產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。