技術(shù)規(guī)格 光普室設(shè)計(jì): 一米焦距，帕邢龍格裝置，真空型，恒溫控制（38±0.1０C）,特殊鑄鐵材料制造,多設(shè)置60條通道 試樣臺(tái): 充氬樣品臺(tái);內(nèi)置自循環(huán)水冷系統(tǒng) 光柵: 根據(jù)分析任務(wù),儀器配置以下三種光柵中的一種 1080gr/mm,1667gr/mm,2160gr/mm 分辨率: 視光柵,出射狹縫和光譜等到級(jí)而定 狹縫寬度: 入射狹縫:20um; 出射狹縫:25 , 37.5 , 50 , 75um 光電倍增管: 直經(jīng)Φ28mm,10級(jí)側(cè)窗管,光學(xué)玻璃或人造石英窗 光源: 電流控制光源(CCS) 光譜儀控制: 利用CMOS技術(shù)的APL MMB386微處理器,帶狀態(tài)控制卡;每條通道均配置數(shù)模(A/D)轉(zhuǎn)換器和衰減器分為41檔;測(cè)量電子部分的動(dòng)態(tài)范圍與測(cè)量時(shí)間成正比,一般為2×106計(jì)數(shù)/秒 12位可編程衰減器 時(shí)間分辨光譜(TRS) 環(huán)境要求: 室溫:16～30０C,較大允許溫差為50C/小時(shí);相對(duì)濕度20～80% 電力要求:　　　　　　　　電壓230V（ 10%-15%），保護(hù)性接地的單相電源 （電壓波動(dòng)超過±10%時(shí)需用5KVA穩(wěn)壓器）。電流12A，頻率50或60Hz；功率2.5KVA;接地電阻<1Ω 歐洲標(biāo)準(zhǔn):89/392/EEC低壓材料,89/366/EEC電磁 氬氣要求: 度99.995%,較大含量5ppm(分析高Si樣品時(shí),較大含量為2ppm) 流量3.5升/分(分析時(shí)),0.35升/分(待機(jī)時(shí)) 幾何尺寸: 長(zhǎng)1385(不計(jì)激發(fā)臺(tái)) ×寬910×高1220mm 長(zhǎng)1690(計(jì)激發(fā)臺(tái)) ×寬910×高1220mm 系統(tǒng)重理: 約540公斤 輔助設(shè)備: 氬氣凈化器 瓶裝氬氣配氣系統(tǒng) 穩(wěn)壓器 制樣機(jī) 先進(jìn)的儀器僅僅是Thermo Electron的基礎(chǔ),工廠高水平的和工程師為我們的產(chǎn)品提供全球范圍完善的售后服務(wù)和技術(shù)支持.我們的將幫助您選擇合適的實(shí)驗(yàn)室儀器并保障儀器具有優(yōu)越的性能.