提高加熱爐熱效率的主要措施：（1）采用、大能量的燃燒器，提高燃燒質(zhì)量。（2）監(jiān)控煙氣中的氧和一氧化碳含量，降低過?？諝庀禂?shù)。（3）增設(shè)空氣預熱器或余熱鍋爐，回收煙氣余熱。（4）對流室采用釘頭管或翅片管，設(shè)置自動吹灰器，強化對流式的傳熱過程，使之多吸收熱量。（5）采用低傳熱系數(shù)的耐火絕熱材料，降低爐壁散熱損失。（6）加強堵漏，減少漏入爐膛的空氣量。（7）采用計算機或數(shù)字控制儀進行.佳燃燒控制。管式爐按爐型分為：立式爐、圓筒爐、大型方爐；按用途分為：化學反應(yīng)爐、加熱液體的爐子、氣體加熱爐、加熱混合相流的爐子。管式爐分：1，真空管式爐、氣氛管式爐2，普通管式爐、旋轉(zhuǎn)管式爐、多工位管式爐3，分體管式爐、一體管式爐、立式管式爐、臥式管式爐4，單溫區(qū)管式爐、雙溫區(qū)管式爐、三溫區(qū)(多溫區(qū))管式爐反應(yīng)室中的反應(yīng)是很復雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數(shù)的變化范圍是很寬的：反應(yīng)室內(nèi)的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學成份、一種氣體相對于另一種氣體的比率、反應(yīng)的中間產(chǎn)品起的作用、以及需要其它反應(yīng)室外的外部能量來源加速或誘發(fā)想得到的反應(yīng)等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產(chǎn)生一整套新變數(shù)，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。然后，考慮沉積薄膜中的變數(shù)：如在整個晶片內(nèi)厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(后者指跨圖形臺階的覆蓋)，薄膜的化學配比(化學成份和分布狀態(tài))，結(jié)晶晶向和缺陷密度等。當然，沉積速率也是一個重要的因素，因為它決定著反應(yīng)室的產(chǎn)出量，高的沉積速率常常要和薄膜的量折中考慮。反應(yīng)生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應(yīng)室的其他部件上，對反應(yīng)室進行清洗的次數(shù)和徹底程度也是很重要的。