沉積的均勻性與電極和腔室的設(shè)計(jì)很有關(guān)系。管式PECVD系統(tǒng)由于其石墨舟中間鏤空，因此利用了硅片作為電極的一部分，因此輝光放電的特性就與硅片表面的特性有了一定的關(guān)系，比如硅片表面織構(gòu)化所生成的金子塔的狀態(tài)就對(duì)等離子體放電產(chǎn)生影響，而目前硅片的電導(dǎo)率的不同也影響到等離子場(chǎng)的均勻性。另外管式PECVD的氣流是從石英管一端引入，這樣也會(huì)造成工藝氣體分布的不均勻。板式PECVD系統(tǒng)使用了襯底板作為電極，而且采用勻氣的Shower系統(tǒng)，但是由于襯底板在長(zhǎng)期加熱后會(huì)有稍微的翹曲，從而造成平行板電極間距的不一致，也會(huì)造成片間不均勻。另外，等離子體直接法在大面積沉積時(shí)會(huì)造成由于高頻波長(zhǎng)所帶來(lái)的附加的不均勻性。真空管式爐均系周期作業(yè)式。供實(shí)驗(yàn)室、工礦企業(yè)、科研單位作元素分析測(cè)定和一般小型鋼件的淬火、退火、回火和電子陶瓷等新材料的加熱用。本系列設(shè)備的成套供應(yīng)范圍有溫度控制器、熱電偶、補(bǔ)償導(dǎo)線等。溫度控制有繼電器控制、可控硅控制二種，由于是間歇式作業(yè)爐，一般都采用40段PlD可編程控制，能?chē)?yán)格控制產(chǎn)品的燒制過(guò)程。管內(nèi)氣液兩相流壓力降確定的復(fù)雜性：(1)氣液兩相流沒(méi)有直接的類(lèi)似于摩擦系數(shù)與雷諾數(shù)之間的關(guān)系。(2)氣液相流速不同，存在相對(duì)運(yùn)動(dòng)，產(chǎn)生內(nèi)摩擦損失而使壓力降低。(3)由于液相滯留量存在，管內(nèi)實(shí)際流通截面積減小，會(huì)使壓力降增加。(4)在垂直管內(nèi)，液相連續(xù)不斷的上升和下降，也會(huì)消耗能量而形成壓力降。爐管內(nèi)氣液兩相流的適宜流型：爐管內(nèi)汽液兩相流的流型.好是霧狀流(不允許出現(xiàn)液節(jié)流)；泡點(diǎn)附近允許出現(xiàn)環(huán)狀流或分散氣泡流，除此之外，其它流型均應(yīng)避免；當(dāng)定位點(diǎn)表示的流型完全不符合要求時(shí)，可以縮小爐管直徑或加大注入的水蒸汽量來(lái)獲得適宜的流型。